摻鎵坩堝，顧名思義，即針對(duì)摻鎵工藝單晶硅生長(zhǎng)用石英坩堝，其在多次拉晶過(guò)程中，可提高引晶成功率、降低收尾位錯(cuò)以及降低硅棒氧含量，相對(duì)于普通工藝的石英坩堝而言，有更加優(yōu)秀的表現(xiàn)，錦州佑鑫同時(shí)也彌補(bǔ)了摻鎵工藝單晶硅拉制過(guò)程中需要在石英坩堝內(nèi)摻入鋇粉帶來(lái)的缺點(diǎn)。

　　隨著光伏發(fā)電技術(shù)的不斷提升，追求高轉(zhuǎn)換效率一直是整個(gè)行業(yè)持續(xù)關(guān)注的話題。錦州佑鑫在P型單晶太陽(yáng)能硅片市場(chǎng)上，摻鎵技術(shù)逐漸替代摻硼技術(shù)必將成為市場(chǎng)主流！